5月24日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅衬底及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122073993A，申请号为CN202511982090.3，申请公布日期为2026年5月22日，申请日期为2025年12月25日，发明人李娟、兰洵、蒋治国，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师侯丽丽、宋东阳，分类号H10W10/00、H10W10/10、H10P90/00、H10P50/24。
专利摘要显示，本申请提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法，制备方法包括：对绝缘体上硅中间体的顶层硅执行离子束平坦化处理，以获得绝缘体上硅衬底，其中，离子束平坦化处理包括：确定由具有基准处理参数的离子束对绝缘体上硅中间体的顶层硅执行离子束平坦化处理的过程中，引起的绝缘体上硅中间体的基准热形变；根据绝缘体上硅中间体的基准热形变以及顶层硅在被执行离子束平坦化处理前的初始形貌与目标形貌之间的差异，确定用于对绝缘体上硅中间体的顶层硅进行扫描刻蚀的设计膜厚去除量矩阵；根据设计膜厚去除量矩阵，采用离子束对绝缘体上硅的顶层硅进行扫描刻蚀，以获得顶层硅的厚度偏差小于预定阈值的绝缘体上硅衬底。
西安奕材于2016年3月16日成立，2025年10月28日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于陕西省西安市。公司专注12英寸硅片研发生产销售，在半导体材料领域具备较强技术实力。
西安奕材主营业务为12英寸硅片的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，概念板块涵盖次新股、新股与次新股、昨日高振幅。
2025年，西安奕材实现营业收入26.49亿元，在26家行业公司中排名第6，高于行业平均数19.89亿元和中位数11.14亿元，但与第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元仍有差距。主营业务中，测试片收入10.42亿元占比39.33%，抛光片9.84亿元占比37.15%，外延片6.1亿元占比23.03%。不过，公司净利润为-7.38亿元，在行业排名25/26，远低于行业平均数3265.85万元和中位数8178.71万元，与第一名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。
西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1协同控制体微缺陷的直拉硅单晶生长方法、装置及硅晶圆发明专利公布CN202610368132.22026-03-24CN122013300A2026-05-12毛勤虎2一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚3一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610346713.62026-03-20CN121931597A2026-04-28杨文武、宁沛娜4单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊5一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610346716.X2026-03-20CN121931598A2026-04-28杨文武、宁沛娜6一种研磨定盘及研磨设备、研磨方法发明专利公布CN202610347640.22026-03-20CN122008064A2026-05-12章晓东7抛光机、抛光垫检测方法、装置、检测设备、产品及介质发明专利公布CN202610345452.62026-03-20CN122008069A2026-05-12杨鑫卓8一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛9一种晶圆形貌分类的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610269906.62026-03-06CN122049540A2026-05-15李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉10晶棒处理设备和晶棒处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610120374.X2026-01-28CN121945472A2026-05-01郭宏雁、黄兆皓11硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610079762.82026-01-21CN121865865A2026-04-14贾志怡12控制半导体单晶生长的方法、装置、及晶棒发明专利公布CN202512010297.02025-12-29CN121653837A2026-03-13杨文武、宁沛娜13半导体制造设备，及其尾气处理方法、系统发明专利实质审查的生效、公布CN202512010197.82025-12-29CN121944738A2026-05-01杨文武、宁沛娜14一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置发明专利公布CN202512012667.42025-12-29CN122028669A2026-05-12张申申15拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质发明专利公布CN202511996021.82025-12-26CN121675079A2026-03-17杨文武、宁沛娜16绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利公布CN202511982090.32025-12-25CN122073993A2026-05-22李娟、兰洵、蒋治国17半导体晶圆及其处理方法和系统发明专利公布CN202511982083.32025-12-25CN122073964A2026-05-22李娟、蒋治国、兰洵18绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利公布CN202511982091.82025-12-25CN122073994A2026-05-22李娟、兰洵、蒋治国19双面抛光方法及设备、计算设备、介质及抛光晶圆发明专利公布CN202511961424.92025-12-24CN122008066A2026-05-12潘石、刘还平、白强强、王明20一种晶圆的抛光方法以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511956856.02025-12-23CN121941286A2026-04-28贾磊、杨新元、王明21抛光头组件、化学机械抛光系统及晶圆的制备方法发明专利公布CN202511911677.52025-12-17CN121624982A2026-03-10王鹏、许涛、杨启22晶圆检测设备和晶圆检测方法发明专利公布CN202511904874.42025-12-17CN121678673A2026-03-17薛博涛、陈光林、刘玉乾、黄兆皓23单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉发明专利实质审查的生效、公布CN202511905877.X2025-12-17CN121951677A2026-05-01潘浩、崔源进、张鹏举24一种晶圆清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511907326.72025-12-17CN121969052A2026-05-01康建25硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质发明专利公布CN202511904614.72025-12-17CN122048788A2026-05-15杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱26线切割装置及线切割取样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511899233.42025-12-16CN121403584A2026-01-27王晋飞27一种电阻率测试装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511897839.42025-12-16CN121917845A2026-04-24贺鹏28清洗设备、清洗方法、清洗装置、控制设备、产品及介质发明专利公布CN202511866027.32025-12-11CN121665982A2026-03-13张树星、陈海龙、夏新超、左斌29一种拉晶装置及拉晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511869249.02025-12-11CN121781273A2026-04-03闫龙、张鹏举、吴超、纪天平、李智超30一种边缘缺陷的检测方法、装置、设备、系统及介质发明专利公布CN202511869589.32025-12-11CN122016796A2026-05-12周淼31热场调节装置、单晶炉和热场调节方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511856243.X2025-12-10CN121344772A2026-01-16黄文洋32一种籽晶倾斜检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511855413.22025-12-10CN121366283A2026-01-20彭标、孙洪涛33一种晶棒切割装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511858998.32025-12-10CN121572470A2026-02-27王磊磊、霍慧文、刘士靖、刘倩34一种砂轮参数确定方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511854835.82025-12-10CN121580854A2026-02-27李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉35一种拉晶收尾的控制方法及系统发明专利公布CN202511858477.82025-12-10CN121826878A2026-04-10纪天平、彭标、闫龙36一种晶圆的检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511859289.72025-12-10CN121908854A2026-04-21史铁柱、庞鲁、王龙37半导体设备的检验方法、装置、设备、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511854133.X2025-12-10CN121978104A2026-05-05李康康38缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511842176.62025-12-09CN121969119A2026-05-01程瑜、贺鑫、胡一洲、万珣39晶圆边缘质量的评估方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202511844052.12025-12-09CN122042479A2026-05-15薛浩波、袁力军、兰洵、张婉婉40晶圆检测方法及相关装置发明专利公布CN202511837367.32025-12-08CN121665979A2026-03-13吕天爽41晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511840689.32025-12-08CN121874923A2026-04-17赵亮42一种单片清洗装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840630.42025-12-08CN121888884A2026-04-17左斌、陈海龙、王颖、张树星、夏新超43硅片研磨的生产系统、控制方法和装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511840651.62025-12-08CN121870626A2026-04-17王琛、张宁轩、黄兆皓44硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840788.12025-12-08CN121874924A2026-04-17彭标、孙洪涛45一种晶圆的检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511840660.52025-12-08CN121925097A2026-04-24史铁柱、庞鲁、王龙46单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备发明专利公布CN202511826516.62025-12-05CN121538725A2026-02-17杨松、赵亮47绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511830184.92025-12-05CN121908606A2026-04-21张博、兰洵、车宇航、王文娟、刘贵浩48晶圆的清洗方法、设备、以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511815254.32025-12-04CN121604750A2026-03-03党快乐、兰洵49一种双面抛光方法、双面抛光设备及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202511817716.52025-12-04CN121870547A2026-04-17郭宏雁、陈祖庆50硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511772774.02025-11-28CN121374876A2026-01-23王黎昱、陈曦鹏
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